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晶体管
FQA13N80-F109参考图片

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FQA13N80-F109

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库存:3,860(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥32.2728
32.2728
10
¥27.4364
274.364
100
¥23.7413
2374.13
250
¥22.5887
5647.175
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
12.6 A
Rds On-漏源导通电阻
750 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
20.1 mm
长度
16.2 mm
系列
FQA13N80_F109
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
110 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
150 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
155 ns
典型接通延迟时间
60 ns
零件号别名
FQA13N80_F109
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FQA13N80-F109的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Small-signal FET 0.137Ohm -4.6A -20V
1:¥3.616
10:¥2.3843
100:¥1.3334
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.83733
参考库存:46036
晶体管
MOSFET Nch 250V 51A MOSFET
1:¥30.962
10:¥26.2838
100:¥22.826
250:¥21.6734
参考库存:46039
晶体管
MOSFET 2N7002PS/SOT363/SC-88
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥0.89157
1,000:¥0.68365
参考库存:46042
晶体管
IGBT 晶体管 600V/15A/ SPM2
暂无价格
参考库存:46045
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT NPN 40V 0.2A
1:¥1.5368
10:¥1.4238
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:46048
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