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晶体管
ZHB6718TA参考图片

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ZHB6718TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) H-Bridge-20V
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库存：10,212(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.7523
17.7523
10
¥15.0629
150.629
100
¥12.0684
1206.84
500
¥10.5994
5299.7
1,000
¥8.7575
8757.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SM-8
晶体管极性
NPN, PNP
配置
Quad
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—基极电压 VCBO
20 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
130 mV
最大直流电集电极电流
2.5 A
增益带宽产品fT
140 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZHB6718
直流电流增益 hFE 最大值
200
高度
1.6 mm
长度
6.7 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
2.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
200 at 10 mA, 2 V at NPN, 300 at 100 mA, 2 V at NPN, 200 at 2 A, 2 V at NPN, 300 at 10 mA, 2 V at PNP, 300 at 100 mA, 2 V at PNP, 150 at 2 A, 2 V at PNP, 35 at 4 A, 2 V at PNP
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
1 g
商品其它信息
优势价格，ZHB6718TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSC018N04LS G
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.684
500:¥6.8365
1,000:¥5.3901
5,000:¥5.3901
参考库存:8715
QS8M51TR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 4V Drive Nch + Pch MOSFET
1:¥9.0626
10:¥7.684
100:¥5.9551
500:¥5.2658
1,000:¥4.6104
3,000:¥4.6104
参考库存:5526
IRLZ24NPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 18A 60mOhm 10nC LogLvlAB
1:¥7.0738
10:¥5.8986
100:¥3.8081
1,000:¥3.0397
参考库存:7737
MMBT3640
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Switching Transistor PNP
1:¥5.763
10:¥4.8138
100:¥3.1075
1,000:¥2.486
3,000:¥2.1018
参考库存:9651
ZTX849STZ
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Big Chip SELine
1:¥7.7631
10:¥6.667
100:¥5.1302
500:¥4.5313
1,000:¥3.5708
参考库存:4225
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