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晶体管
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BSS214NH6327XTSA1

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数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥2.4295
24.295
100
¥1.04525
104.525
1,000
¥0.79891
798.91
3,000
¥0.60681
1820.43
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
106 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
700 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
800 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSS214
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
4 S
下降时间
1.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6.8 ns
典型接通延迟时间
4.1 ns
零件号别名
BSS214N BSS214NH6327XT H6327 SP000928936
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BSS214NH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STGIF10CH60TS-E
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 模块
156:¥65.9242
312:¥62.6246
624:¥58.6244
1,092:¥53.788
参考库存:31924
ULN2003AIDRE4
Texas Instruments
晶体管
达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
2,500:¥1.8419
5,000:¥1.7176
10,000:¥1.6498
25,000:¥1.5933
50,000:¥1.5255
参考库存:31927
2N6388
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 10A 250mA
1,600:¥5.7065
参考库存:31930
PDTA144WM,315
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
10,000:¥0.22261
20,000:¥0.2147
50,000:¥0.20001
100,000:¥0.1695
参考库存:31933
NVD5862NT4G-VF01
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET DPAK 60V 98A 5.7MOHM
2,500:¥5.5596
5,000:¥5.3562
10,000:¥5.1528
参考库存:11583
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