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晶体管
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FF300R12ME4

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库存:2,920(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,064.46
1064.46
5
¥1,043.5663
5217.8315
10
¥994.9198
9949.198
25
¥974.0261
24350.6525
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.75 V
在25 C的连续集电极电流
450 A
栅极—射极漏泄电流
0.4 uA
Pd-功率耗散
1.6 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF300R12ME4BOSA1 SP000405060
单位重量
345 g
商品其它信息
优势价格,FF300R12ME4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V P CH MOSFET
1:¥3.5369
10:¥2.4634
100:¥1.1639
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.73789
参考库存:8243
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode Fet 40Vdss 20Vgss
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥5.9551
500:¥5.2658
1,000:¥4.1471
2,500:¥4.1471
参考库存:5405
晶体管
MOSFET PSMN2R0-25YLD/LFPAK/REEL 7" Q1
1:¥6.6896
10:¥5.6048
100:¥3.616
1,000:¥2.8928
1,500:¥2.4408
参考库存:7407
晶体管
MOSFET 80V 32A 100W AEC-Q101 Qualified
1:¥24.8939
10:¥23.7413
100:¥19.1309
500:¥15.0629
3,000:¥11.3678
6,000:查看
参考库存:14046
晶体管
MOSFET 20V 7.8A 13.6W AEC-Q101 Qualified
1:¥5.3788
10:¥4.1132
100:¥3.051
500:¥2.5086
3,000:¥1.7628
6,000:查看
参考库存:83293
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