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晶体管
DMN1019UFDE-7参考图片

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DMN1019UFDE-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
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库存:20,715(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2318
3.2318
10
¥2.7233
27.233
100
¥1.6611
166.11
1,000
¥1.2882
1288.2
3,000
¥1.09836
3295.08
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN2020-E-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
10 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
27.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
690 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN10
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
28 S
下降时间
16.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
57.6 ns
典型接通延迟时间
7.6 ns
商品其它信息
优势价格,DMN1019UFDE-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC
1:¥6.9156
10:¥5.9099
100:¥4.5313
500:¥4.0115
1,000:¥3.164
3,000:¥3.164
参考库存:5840
晶体管
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥14.6787
10:¥12.5204
100:¥9.9892
500:¥8.7575
参考库存:3062
晶体管
MOSFET 20V N channel MOSFET
1:¥4.3053
10:¥3.3787
100:¥2.2939
500:¥1.582
3,000:¥1.05316
9,000:查看
参考库存:20647
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.8mOhms 17nC
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
4,000:¥2.8815
参考库存:14181
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SC70-6
1:¥5.1528
10:¥4.1697
100:¥3.164
500:¥2.6103
3,000:¥2.6103
参考库存:8970
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