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晶体管
MRF6V10010NR4参考图片

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MRF6V10010NR4

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W PULSE PLD1.5
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库存:2,554(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥502.9969
502.9969
5
¥492.3184
2461.592
10
¥473.1084
4731.084
25
¥457.8873
11447.1825
100
¥424.315
42431.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
100 V
增益
25 dB
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PLD-1.5
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single Dual Source
高度
1.83 mm
长度
6.73 mm
工作频率
960 MHz to 1400 MHz
系列
MRF6V10010N
类型
RF Power MOSFET
宽度
5.97 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
零件号别名
935321297531
单位重量
280 mg
商品其它信息
优势价格,MRF6V10010NR4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
10,000:¥0.23843
30,000:¥0.22261
50,000:¥0.20792
参考库存:34030
晶体管
MOSFET 40V 60A 200W w/Sensing Diode
800:¥14.2945
2,400:¥13.5261
4,800:¥13.0628
参考库存:34033
晶体管
MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS
480:¥19.5942
960:¥17.5941
参考库存:34036
晶体管
MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
2,500:¥3.4917
10,000:¥3.3561
25,000:¥3.2544
参考库存:34039
晶体管
MOSFET 20V 4.9A 2.5W 65mohm @ 4.5V
3,000:¥4.1923
6,000:¥3.9889
9,000:¥3.842
24,000:¥3.7177
参考库存:34042
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