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晶体管
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FDD3680

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数量单价合计
1
¥15.368
15.368
10
¥13.0628
130.628
100
¥10.4525
1045.25
500
¥9.1417
4570.85
1,000
¥7.5597
7559.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
32 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
53 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
68 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FDD3680
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
25 S
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
63 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
FDD3680_NL
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,FDD3680的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 10K
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:5705
晶体管
MOSFET PowerMESH MOSFET
1:¥47.0306
10:¥39.9568
100:¥34.6571
250:¥32.883
参考库存:3577
晶体管
MOSFET HEXFET P-CH Low 0.020 Ohm -30V
1:¥6.3732
10:¥5.4918
100:¥4.2149
500:¥3.729
1,000:¥2.938
4,000:¥2.938
参考库存:3083
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC88 GP XSTR NPN 45V
1:¥3.2996
10:¥2.1357
100:¥0.91417
1,000:¥0.70738
3,000:¥0.53788
参考库存:10778
晶体管
MOSFET N-Chan UniFET2 500V
1:¥8.6106
10:¥7.3563
100:¥5.65
500:¥4.9946
参考库存:4925
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