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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Nexperia
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Id-连续漏极电流	96 A
Rds On-漏源导通电阻	28.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	4.8 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	49 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	148 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Tube
高度	9.4 mm
长度	10.3 mm
晶体管类型	1 N-Channel
类型	N-Channel 100 V 16 mOhms Standard Level MOSFET in TO220
宽度	4.7 mm
商标	Nexperia
下降时间	18 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	23 ns
工厂包装数量	50
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	36 ns
典型接通延迟时间	17 ns
单位重量	6 g

商品其它信息

优势价格，PSMN016-100PS,127的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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