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晶体管
IKW60N60H3参考图片

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IKW60N60H3

  • Infineon Technologies
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  • IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
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库存:2,254(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥65.314
65.314
10
¥59.0086
590.086
25
¥56.2514
1406.285
100
¥48.8725
4887.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
416 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW60N60H3FKSA1 IKW6N6H3XK SP000919762
单位重量
6.067 g
商品其它信息
优势价格,IKW60N60H3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
1:¥116.7968
10:¥106.1974
25:¥98.197
50:¥92.8973
参考库存:4135
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥2.6103
10:¥1.808
100:¥0.76049
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.4068
参考库存:33700
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8
1:¥8.4524
10:¥7.2659
100:¥5.5822
500:¥4.9381
1,500:¥3.4465
9,000:查看
参考库存:4259
晶体管
JFET N-Ch 7.0V 50Ohm 40Vbr 16pF 60ns
1:¥46.0249
10:¥41.0303
100:¥37.4256
250:¥33.7305
参考库存:5264
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 30MA SOT-323
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:5824
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