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晶体管
IPP120N08S403AKSA1参考图片

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IPP120N08S403AKSA1

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库存:1,865(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥32.431
32.431
10
¥27.5042
275.042
100
¥23.8995
2389.95
250
¥22.6678
5666.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
2.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
167 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
278 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
50 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
30 ns
零件号别名
IPP120N08S4-03 SP000989106
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP120N08S403AKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-CH -200V HEXFET MOSFET
1:¥21.7412
10:¥18.1365
100:¥14.0572
500:¥12.2944
1,000:¥10.2152
参考库存:4512
晶体管
MOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 50mOhms
1:¥12.1362
10:¥10.3734
100:¥7.9891
500:¥7.006
4,000:¥4.9042
8,000:查看
参考库存:10045
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Voltage
1:¥17.1308
10:¥15.2098
100:¥12.2153
500:¥10.6785
参考库存:6403
晶体管
MOSFET N-CH 60 V 320 mA
1:¥2.6894
10:¥1.8532
100:¥0.77631
1,000:¥0.52997
3,000:¥0.41471
参考库存:72380
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 1.3 mOhms
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥14.5996
500:¥12.8368
参考库存:4858
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