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晶体管
DSS20201L-7参考图片

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DSS20201L-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW VCE(SAT) NPN SMT
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.4408
24.408
100
¥1.12209
112.209
1,000
¥0.86106
861.06
3,000
¥0.73789
2213.67
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—基极电压 VCBO
20 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
100 mV
最大直流电集电极电流
4 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DSS202
直流电流增益 hFE 最大值
200 at 10 mA, 2 V
高度
1 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.3 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
200 at 2 A, 2 V
Pd-功率耗散
600 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,DSS20201L-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥40.9512
10:¥34.804
100:¥30.1258
360:¥28.589
720:¥25.6623
参考库存:4466
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 0.15A
1:¥3.5369
10:¥2.2713
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
8,000:¥0.50737
24,000:查看
参考库存:17339
晶体管
MOSFET 100V 20A 38.2mOhm
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8817
500:¥6.0794
参考库存:5571
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Single NPN 21GHz
1:¥4.3053
10:¥3.5256
100:¥2.147
1,000:¥1.6724
3,000:¥1.4238
参考库存:12116
晶体管
MOSFET -60V -12A P-Channel
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
参考库存:7844
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