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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN, PNP
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-363-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN49
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	50 V, - 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO	10 V, - 5 V
商标	Toshiba
最大直流电集电极电流	100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	7.500 mg

商品其它信息

优势价格，RN49A2,LF(CT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SCT50N120	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package	1:¥269.9344 5:¥267.0981 10:¥248.9616 25:¥237.8198	参考库存:2059
STGIPQ3H60T-HL	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge	1:¥62.0822 10:¥56.0932 25:¥53.4829 100:¥46.4091	参考库存:1068
TPN2R703NL,L1Q	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V	1:¥8.5315 10:¥6.8252 100:¥5.2432 500:¥4.633 5,000:¥3.2431 10,000:查看	参考库存:2222
PH2226-50M	MACOM	晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管	10:¥2,009.592 30:¥1,937.1364	参考库存:31681
FS75R12KE3G	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 1200V 75A 3-PHASE	1:¥921.0856 5:¥902.9491 10:¥860.834 25:¥842.7766	参考库存:1043