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晶体管
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MRFE6VP8600HR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230H 50V
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数量单价合计
1
¥2,145.4519
2145.4519
5
¥2,097.5738
10487.869
10
¥2,054.6225
20546.225
25
¥2,024.3498
50608.745
50
¥1,950.8094
97540.47
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
140 V
增益
18.8 dB
输出功率
600 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
470 MHz to 860 MHz
系列
MRFE6VP8600H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
正向跨导 - 最小值
15.6 S
Pd-功率耗散
1.52 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.07 V
零件号别名
935321656178
单位重量
13.164 g
商品其它信息
优势价格，MRFE6VP8600HR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MJD32CT4G
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 100V 15W PNP
1:¥4.4522
10:¥3.6499
100:¥2.2261
1,000:¥1.7176
2,500:¥1.469
参考库存:13443
2N3053
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1:¥19.5151
10:¥17.3681
100:¥13.9103
500:¥12.1362
参考库存:2786
NTD18N06LT4G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 60V 18A N-Channel
1:¥6.8365
10:¥5.65
100:¥3.6499
1,000:¥2.9154
2,500:¥2.4634
参考库存:5476
2N6287G
ON Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 20A 100V Bipolar Power PNP
1:¥54.2513
10:¥49.0194
50:¥46.7933
100:¥40.567
参考库存:1250
SSM3K324R,LF
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF
1:¥4.0002
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:67783
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