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晶体管
TK12E80W,S1X参考图片

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TK12E80W,S1X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 165W
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数量单价合计
1
¥25.4363
25.4363
10
¥20.4417
204.417
100
¥18.5998
1859.98
250
¥16.8257
4206.425
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
11.5 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
165 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
系列
TK12E80W
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Toshiba
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
70 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，TK12E80W,S1X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SSM3J129TU(T5L,T)
Toshiba
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1:¥3.616
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10:¥2.0792
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1,000:¥0.68365
参考库存:46042
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1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:46048
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