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晶体管
MRFG35003N6AT1参考图片

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MRFG35003N6AT1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5
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数量单价合计
1
¥103.4289
103.4289
10
¥95.0556
950.556
25
¥90.8972
2272.43
100
¥80.2978
8029.78
1,000
¥63.619
63619
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
增益
10 dB
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 5 V
Id-连续漏极电流
2.9 A
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PLD-1.5
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single Dual Source
工作频率
3.55 GHz
产品
RF JFET
系列
MRFG35003N6AT1
类型
GaAs pHEMT
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
P1dB - 压缩点
3 W
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
935309639515
单位重量
280 mg
商品其它信息
优势价格,MRFG35003N6AT1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
2,500:¥3.9776
10,000:¥3.8307
参考库存:32166
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Gen Pur SW
5,000:¥2.4973
10,000:¥2.4069
25,000:¥2.3052
参考库存:32169
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双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm
10,000:¥0.56839
20,000:¥0.53788
参考库存:32172
晶体管
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
3,000:¥1.2656
9,000:¥1.1865
24,000:¥1.12209
45,000:¥1.09836
参考库存:32175
晶体管
IGBT 模块 1700V 200A IGBT
60:¥1,314.6533
参考库存:32178
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