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晶体管
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MRFE6VP8600HSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V
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1
¥2,145.4519
2145.4519
5
¥2,097.5738
10487.869
10
¥2,054.6225
20546.225
25
¥2,024.3498
50608.745
50
¥1,950.8094
97540.47
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
140 V
增益
18.8 dB
输出功率
600 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230S
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
470 MHz to 860 MHz
系列
MRFE6VP8600H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
正向跨导 - 最小值
15.6 S
Pd-功率耗散
1.52 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.07 V
零件号别名
935310858178
单位重量
13.264 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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