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晶体管
TK17A80W,S4X参考图片

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TK17A80W,S4X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 45W
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库存:7,013(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥29.7416
29.7416
10
¥23.8995
238.995
100
¥21.7412
2174.12
250
¥19.6733
4918.325
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
250 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
32 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
封装
Tube
高度
15 mm
长度
10 mm
系列
TK17A80W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
80 ns
典型接通延迟时间
58 ns
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,TK17A80W,S4X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Single N-Channel 40V,40A,6.5mOhm
5,000:¥4.0115
10,000:¥3.8533
参考库存:41776
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0453
100:¥0.9379
1,000:¥0.72207
3,000:¥0.61472
参考库存:41779
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
5,000:¥4.0341
10,000:¥3.8872
参考库存:41782
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥315.27
5:¥299.45
10:¥291.6078
25:¥267.9456
参考库存:41785
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:41788
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