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晶体管
TPH2R306NH,L1Q参考图片

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TPH2R306NH,L1Q

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET U-MOSVIII-H 60V 130A 72nC MOSFET
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库存：14,134(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.7412
21.7412
10
¥17.515
175.15
100
¥13.9894
1398.94
500
¥12.2944
6147.2
5,000
¥9.1417
45708.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
130 A
Rds On-漏源导通电阻
1.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
72 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
商标名
UMOSVIII
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.95 mm
长度
5 mm
系列
TPH2R306NH
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Toshiba
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.9 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
29 ns
单位重量
851 mg
商品其它信息
优势价格，TPH2R306NH,L1Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-GT50TP120N
Vishay Semiconductors
晶体管
IGBT 模块 Output & SW Modules - IAP IGBT
24:¥545.7222
48:¥528.1168
72:¥521.0543
120:¥492.9286
参考库存:33061
DMP1022UFDEQ-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 12V P-CH MOSFET
3,000:¥2.0792
参考库存:33064
2N4869A
InterFET
晶体管
JFET N-Ch -40V JFET 50mA 300mW 1.7mW Audio
115:¥57.3249
500:¥52.2512
1,000:¥45.4938
参考库存:33067
SIHF840LCS-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
1,000:¥6.0907
3,000:¥5.6726
5,000:¥5.4579
10,000:¥5.2432
参考库存:33070
PBRP123ET,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BISS RET
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
99,000:¥0.25312
参考库存:33073
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