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晶体管
SI7439DP-T1-GE3参考图片

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SI7439DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:11,290(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥30.736
30.736
10
¥25.4363
254.363
100
¥20.9728
2097.28
250
¥20.2835
5070.875
3,000
¥20.2835
60850.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
5.2 A
Rds On-漏源导通电阻
90 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
88 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
5.4 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SI7
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
19 S
下降时间
64 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
46 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
115 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
SI7439DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SI7439DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 11.4A TO220FP CoolMOS CFD2
1:¥18.0574
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
1,000:¥8.9157
参考库存:2905
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 9A 600V 45W 1200pF 0.83
1:¥17.8992
10:¥14.4414
100:¥12.9837
500:¥10.0683
参考库存:29233
晶体管
IGBT 模块 ELECTRONIC COMPONENT
1:¥1,133.8533
5:¥1,106.5751
10:¥1,079.0596
25:¥1,063.9289
参考库存:2953
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.921
10:¥1.2769
100:¥0.52997
1,000:¥0.3616
3,000:¥0.28476
参考库存:6891
晶体管
MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in D2PAK package
1:¥13.2888
10:¥11.30
100:¥9.0626
500:¥7.91
1,000:¥6.5766
参考库存:3667
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