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晶体管
MRF1535NT1参考图片

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MRF1535NT1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET TO-272N
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数量单价合计
1
¥210.3156
210.3156
5
¥201.0157
1005.0785
10
¥194.021
1940.21
25
¥169.274
4231.85
500
¥145.996
72998
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
6 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Rds On-漏源导通电阻
700 mOhms
增益
13.5 dB
输出功率
35 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-272-Wrap-6
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
2.74 mm
长度
23.67 mm
工作频率
520 MHz
系列
MRF1535N
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.4 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
135 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.6 V
零件号别名
935317208528
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格，MRF1535NT1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VN10LFTA
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 3A
1:¥3.842
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:19098
2N6034G
ON Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 4A 40V Bipolar Power PNP
1:¥5.6048
10:¥4.633
100:¥2.9945
1,000:¥2.3843
参考库存:14466
DD750S65K3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 750A 6500V
1:¥17,193.1082
5:¥16,918.247
参考库存:3919
IRLTS6342TRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:36541
TK65G10N1,RQ
Toshiba
晶体管
MOSFET UMOSVIII 100V 4.5m max(VGS=10V) D2PAK
1:¥21.4361
10:¥17.289
100:¥13.8312
500:¥12.0684
1,000:¥10.0683
参考库存:5039
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