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晶体管
2SA1587-GR,LF参考图片

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2SA1587-GR,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq. Amplification
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库存:23,780(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1.921
1.921
10
¥1.2091
12.091
100
¥0.50737
50.737
1,000
¥0.34578
345.78
3,000
¥0.26103
783.09
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-70-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 120 V
集电极—基极电压 VCBO
- 120 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 300 mV
最大直流电集电极电流
- 100 mA
增益带宽产品fT
100 MHz
最大工作温度
+ 125 C
系列
2SA1587
直流电流增益 hFE 最大值
700
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格,2SA1587-GR,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 11a 60V 0.107 Ohm Logic Level N-Ch
1:¥6.1472
10:¥5.1076
100:¥3.2996
1,000:¥2.6329
2,500:¥2.6329
参考库存:6375
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 60V Dual Switching NPN
1:¥3.2318
10:¥2.0453
100:¥0.87575
1,000:¥0.67574
4,000:¥0.51528
参考库存:18131
晶体管
达林顿晶体管 10A 100V Bipolar Power PNP
1:¥13.8312
10:¥11.752
100:¥9.379
500:¥8.2264
参考库存:4155
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 3A 10V
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,000:¥1.3334
参考库存:6082
晶体管
MOSFET Std N-chanMOSFET
1:¥21.8994
10:¥18.5998
100:¥16.1364
250:¥15.2889
800:¥11.6051
2,400:查看
参考库存:6152
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