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晶体管
TK35A65W5,S5X参考图片

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TK35A65W5,S5X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET N-Channel
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库存:4,152(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥48.4092
48.4092
10
¥43.6406
436.406
50
¥39.7308
1986.54
100
¥35.8888
3588.88
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
80 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
115 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15 mm
长度
10 mm
系列
TK35A65W
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
55 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
150 ns
典型接通延迟时间
110 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,TK35A65W5,S5X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Trans N-Channel
1:¥220.0675
5:¥217.8414
10:¥203.0158
25:¥193.8628
600:¥157.4429
参考库存:43534
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥118.0285
250:¥107.7342
500:¥96.9766
1,000:¥89.9819
参考库存:43537
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DVR NPN 160V 1.5A
1:¥5.6839
10:¥4.6669
100:¥3.0171
1,000:¥2.4182
2,000:¥2.034
参考库存:43540
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
3,000:¥0.39211
18,000:¥0.39211
24,000:¥0.36838
参考库存:43543
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor
1:¥538.8744
5:¥522.512
10:¥507.144
25:¥475.4136
参考库存:43546
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