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晶体管
TK160F10N1L,LQ参考图片

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TK160F10N1L,LQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET U-MOSVIII-H 100V 160A 122nC MOSFET
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库存:4,604(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.1254
22.1254
10
¥17.8314
178.314
100
¥14.2945
1429.45
500
¥12.5204
6260.2
1,000
¥10.3734
10373.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-220SMW-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
160 A
Rds On-漏源导通电阻
2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
122 nC
最小工作温度
-
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
TK160F10N1L
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Toshiba
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
140 ns
典型接通延迟时间
42 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,TK160F10N1L,LQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V TSOT26 T&R 3K
1:¥3.1527
10:¥2.3504
100:¥1.2769
1,000:¥0.9605
3,000:¥0.82264
9,000:¥0.77631
参考库存:31828
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP NBRT/PBRT TR SOT-963
1:¥3.6838
10:¥2.5764
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
8,000:¥0.70738
24,000:查看
参考库存:10300
晶体管
MOSFET 40V,N-Ch NexFET Pwr MOSFET
1:¥7.8422
10:¥6.6896
100:¥5.1528
250:¥5.1528
500:¥4.5539
参考库存:3717
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT Dual NPN
1:¥1.921
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:29289
晶体管
MOSFET MOSFET, Single, N-Ch Planar, 800V, 3A
1:¥10.3734
10:¥9.2208
100:¥7.2659
500:¥5.6387
参考库存:4213
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