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晶体管
SSM6N35AFE,LF参考图片

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SSM6N35AFE,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
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库存:9,571(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.0001
20.001
100
¥0.86106
86.106
1,000
¥0.66105
661.05
4,000
¥0.49946
1997.84
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-563-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
250 mA
Rds On-漏源导通电阻
750 mOhms, 750 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
350 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
340 pC, 340 pC
最小工作温度
-
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 mW (1/4 W)
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SSM6N35AFE
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
0.5 S, 0.5 S
下降时间
5.5 ns, 5.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2 ns, 2 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6.5 ns, 6.5 ns
典型接通延迟时间
2 ns, 2 ns
单位重量
3 mg
商品其它信息
优势价格,SSM6N35AFE,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
1:¥31.1993
10:¥26.5098
100:¥22.9729
250:¥21.7412
500:¥19.5151
参考库存:1934
晶体管
MOSFET 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8
1:¥9.7632
10:¥8.2942
100:¥6.3619
500:¥5.6274
4,000:¥3.9437
8,000:查看
参考库存:3770
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 2A 50V
1:¥4.9155
10:¥4.0906
100:¥2.4973
1,000:¥1.9323
2,500:¥1.6498
参考库存:2835
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 0.5A 50V
1:¥3.616
10:¥2.373
100:¥1.01474
1,000:¥0.77631
3,000:¥0.59212
参考库存:13625
晶体管
MOSFET 150V N-Channel QFET
1:¥17.063
10:¥14.5205
100:¥11.6051
500:¥10.1474
1,000:¥8.3733
参考库存:2878
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