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晶体管
SI2337DS-T1-E3参考图片

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SI2337DS-T1-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -80V Vds 20V Vgs SOT-23
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库存:42,221(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.8422
7.8422
10
¥6.4184
64.184
100
¥4.9268
492.68
500
¥4.2375
2118.75
1,000
¥3.3448
3344.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
2.2 A
Rds On-漏源导通电阻
270 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最小工作温度
- 50 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
系列
SI2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
4.3 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
SI2337DS-E3
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,SI2337DS-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC
1:¥42.488
10:¥36.1148
100:¥31.2784
250:¥29.7416
500:¥26.668
参考库存:6563
晶体管
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC
1:¥8.9157
10:¥7.6727
100:¥5.8986
500:¥5.198
1,000:¥4.1132
2,000:¥4.1132
参考库存:6221
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 21A 3.6mOhm 40nC
1:¥8.4524
10:¥7.2659
100:¥5.5822
500:¥4.9381
1,000:¥3.8985
4,000:¥3.8985
参考库存:12990
晶体管
MOSFET TRENCH_MOSFETS
1:¥16.9048
10:¥14.3736
100:¥11.526
500:¥10.0683
800:¥8.3733
参考库存:7854
晶体管
MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet
1:¥8.2942
10:¥7.1303
100:¥5.4805
500:¥4.8364
2,000:¥3.39
10,000:查看
参考库存:15415
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