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晶体管
SSM6N815R,LF参考图片

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SSM6N815R,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=100V
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数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥2.7007
27.007
100
¥1.695
169.5
1,000
¥1.2656
1265.6
3,000
¥1.08367
3251.01
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6F-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
84 mOhms, 84 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
3.1 nC, 3.1 nC
最小工作温度
-
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.4 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
4.8 S, 4.8 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns, 21 ns
典型接通延迟时间
7.5 ns, 7.5 ns
单位重量
16 mg
商品其它信息
优势价格，SSM6N815R,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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