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晶体管
TK14G65W,RQ参考图片

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TK14G65W,RQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET N-Channel
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库存:4,948(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.2099
17.2099
10
¥13.8312
138.312
100
¥11.0627
1106.27
500
¥9.7632
4881.6
1,000
¥8.0682
8068.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
13.7 A
Rds On-漏源导通电阻
220 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
35 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
130 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
10.4 mm
长度
10 mm
系列
TK14G65W
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
110 ns
典型接通延迟时间
60 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,TK14G65W,RQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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3,000:¥0.83733
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1,000:¥1.9549
参考库存:3437
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