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晶体管
BSS84DW-7-F参考图片

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BSS84DW-7-F

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库存:163,498(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.3956
23.956
100
¥1.10627
110.627
1,000
¥0.84524
845.24
3,000
¥0.72207
2166.21
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
130 mA
Rds On-漏源导通电阻
10 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
2.2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
BSS84
晶体管类型
2 P-Channel
类型
Enhancement Mode Field Effect Transistor
宽度
1.35 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
0.05 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格,BSS84DW-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
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1:¥41.4936
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100:¥4.9381
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3,000:¥3.0623
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100:¥7.2772
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2,500:¥4.4974
10,000:查看
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1:¥22.3627
10:¥20.2044
25:¥18.0574
100:¥16.2155
2,500:¥9.6841
5,000:查看
参考库存:2894
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