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晶体管
BSB165N15NZ3 G参考图片

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BSB165N15NZ3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 150V 45A CanPAK3 MZ OptiMOS 3
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库存:8,140(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.5888
24.5888
10
¥20.905
209.05
100
¥18.1365
1813.65
250
¥17.2099
4302.475
5,000
¥11.9102
59551
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WDSON-2-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
45 A
Rds On-漏源导通电阻
13.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
35 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
6.35 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.05 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
24 S
下降时间
7 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
BSB165N15NZ3GXT BSB165N15NZ3GXUMA1 SP000617000
商品其它信息
优势价格,BSB165N15NZ3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 100MA SOT-416
1:¥2.7685
10:¥1.8645
100:¥0.78422
1,000:¥0.52997
3,000:¥0.41471
参考库存:7671
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
1:¥93.3606
10:¥83.9816
25:¥76.5349
50:¥71.303
参考库存:2357
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 75Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 1.2W Trans
1:¥4.3053
10:¥3.7177
100:¥2.5764
1,000:¥1.921
2,000:¥1.6159
参考库存:7628
晶体管
MOSFET Pch -30V -5A Power MOSFET
1:¥4.8364
10:¥3.8194
100:¥1.7967
1,000:¥1.356
3,000:¥1.2091
参考库存:8086
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR
1:¥1.695
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:5859
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