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晶体管
IPB072N15N3 G参考图片

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IPB072N15N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥41.7987
41.7987
10
¥35.5046
355.046
100
¥30.8151
3081.51
250
¥29.1992
7299.8
1,000
¥22.0576
22057.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
7.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
70 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
65 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
46 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
IPB072N15N3GATMA1 IPB72N15N3GXT SP000386664
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB072N15N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 100MA SOT-353
1:¥2.9945
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
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双极晶体管 - 预偏置 PNP Digital Transtr w/built in resistors
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:4309
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Gen Pur SS
1:¥18.984
10:¥16.9048
100:¥13.5261
500:¥11.8311
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bias Resistor Built-in transistor
1:¥4.0002
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:3121
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP GP Power
1:¥9.605
10:¥7.8422
100:¥6.5427
500:¥5.0511
参考库存:2924
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