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晶体管
TJ60S06M3L(T6L1,NQ参考图片

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TJ60S06M3L(T6L1,NQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
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数量单价合计
1
¥17.8314
17.8314
10
¥14.3736
143.736
100
¥12.9046
1290.46
500
¥10.0683
5034.15
2,000
¥7.7631
15526.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
11.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
156 nC
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
100 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
TJ60S06M3L
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
5.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
250 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
100 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
970 ns
典型接通延迟时间
127 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格，TJ60S06M3L(T6L1,NQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SQ3585EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥28.3517
10:¥23.5153
100:¥19.3682
250:¥18.7467
500:¥16.8257
3,000:¥16.8257
参考库存:29647
MMBT3904VL
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MMBT3904/TO-236AB/REEL 11" Q3/
1:¥0.7684
10:¥0.66896
100:¥0.23843
1,000:¥0.16159
10,000:¥0.10735
20,000:查看
参考库存:122395
IPZA60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥36.4199
10:¥30.962
100:¥26.8149
250:¥25.4363
参考库存:2637
IPA70R450P7SXKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥7.8422
10:¥6.7235
100:¥5.1641
500:¥4.5652
参考库存:3028
STL86N3LLH6AG
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 30 V, 0.004 Ohm typ., 80 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
3,000:¥5.7065
6,000:查看
参考库存:3349
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