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晶体管
TJ60S06M3L(T6L1,NQ参考图片

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TJ60S06M3L(T6L1,NQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
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库存:9,197(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.8314
17.8314
10
¥14.3736
143.736
100
¥12.9046
1290.46
500
¥10.0683
5034.15
2,000
¥7.7631
15526.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
11.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
156 nC
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
100 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
TJ60S06M3L
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
5.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
250 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
100 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
970 ns
典型接通延迟时间
127 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,TJ60S06M3L(T6L1,NQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 TRANS DARLINGTON
1:¥4.6104
10:¥3.8872
100:¥2.5086
1,000:¥2.0001
2,000:¥1.695
参考库存:4127
晶体管
MOSFET NCH DUAL COOL POWERTRENCH MOSFET
1:¥8.0682
10:¥6.8817
100:¥5.2997
500:¥4.6782
3,000:¥3.277
9,000:查看
参考库存:17329
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V NPN resistor-equipped
1:¥2.6103
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
10,000:¥0.34578
20,000:查看
参考库存:17332
晶体管
MOSFET T6 40V HEFET
1:¥22.8938
10:¥19.5151
100:¥16.9048
250:¥16.0573
1,500:¥11.526
4,500:查看
参考库存:17335
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Resonant Mode - Combi
1:¥86.219
10:¥78.3768
25:¥72.4556
50:¥68.5458
参考库存:17338
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