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晶体管
DMP2160UFDBQ-7参考图片

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DMP2160UFDBQ-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET Dual P-Ch Enh FET VDSS -20V -12VGSS
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数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥3.3335
33.335
100
¥2.034
203.4
1,000
¥1.5707
1570.7
3,000
¥1.3334
4000.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN2020-B-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
3.8 A
Rds On-漏源导通电阻
68 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
900 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
6.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.4 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMP2160
晶体管类型
2 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
27.54 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12.09 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55.34 ns
典型接通延迟时间
11.51 ns
商品其它信息
优势价格,DMP2160UFDBQ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 950 V CoolMOS P7
1:¥10.9836
10:¥9.379
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1:¥35.1204
10:¥29.8885
100:¥25.8996
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参考库存:3346
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1:¥9.7632
10:¥8.6106
100:¥6.8252
500:¥5.2884
1,000:¥4.1697
3,000:¥3.7855
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1:¥3.1527
10:¥2.4521
100:¥1.3334
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.86106
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IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
1:¥65.7773
10:¥59.4719
25:¥56.7034
100:¥49.1776
250:¥47.0306
参考库存:3451
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