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晶体管
IRF6616TRPBF参考图片

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IRF6616TRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 40V 1 N-CH 3.7mOhm DirectFET 1.8V Vgs
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数量单价合计
1
¥15.4471
15.4471
10
¥13.1419
131.419
100
¥10.5316
1053.16
500
¥9.2208
4610.4
4,800
¥6.8139
32706.72
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DirectFET-MX
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
19 A
Rds On-漏源导通电阻
4.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
29 nC
Pd-功率耗散
89 W
配置
Single
商标名
DirectFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
6.35 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.05 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4800
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001525524
商品其它信息
优势价格,IRF6616TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥613.4092
5:¥552.0954
参考库存:28911
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 272WB4
500:¥382.1999
参考库存:28914
晶体管
MOSFET PMV45EN2/TO-236AB/REEL 11" Q3/
10,000:¥0.62263
20,000:¥0.58421
50,000:¥0.52206
100,000:¥0.49946
参考库存:28917
晶体管
MOSFET TrenchMOS N-Channel
4,800:¥6.5201
9,600:¥6.2602
参考库存:28920
晶体管
IGBT 模块 1200V 100A Dual
60:¥732.5112
参考库存:28923
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