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晶体管
DMN63D8LW-7参考图片

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DMN63D8LW-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vgss 300mA 1.2A
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库存：19,611(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1.695
1.695
10
¥1.1752
11.752
100
¥0.49155
49.155
1,000
¥0.33787
337.87
3,000
¥0.26103
783.09
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
380 mA
Rds On-漏源导通电阻
2.8 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
0.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
420 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN63
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
80 mS
下降时间
16.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11.4 ns
典型接通延迟时间
2.3 ns
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格，DMN63D8LW-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMN6068LK3Q-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.8419
参考库存:15890
BC848W,135
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-11
1:¥0.92208
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
10,000:¥0.13786
20,000:查看
参考库存:21693
RN2313,LF
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BRT -0.1A -50V
1:¥1.4577
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.29154
3,000:¥0.2147
参考库存:15895
AUIRFZ44ZS
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 13.9mOhms
1:¥15.5262
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.2208
参考库存:15898
PMPB95ENEA/FX
Nexperia
晶体管
MOSFET PMPB95ENEA/F/SOT1220/REEL 7" Q
3,000:¥1.2543
9,000:¥1.1639
24,000:¥1.10627
45,000:¥1.07576
参考库存:15901
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