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晶体管
MRFE6VP61K25HR6参考图片

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MRFE6VP61K25HR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
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库存:3,559(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,342.553
1342.553
5
¥1,312.6532
6563.266
10
¥1,285.8383
12858.383
25
¥1,266.8656
31671.64
150
¥1,220.9085
183136.275
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
10 uA
Vds-漏源极击穿电压
133 V
增益
24 dB
输出功率
1.25 kW
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.8 MHz, 600 MHz
系列
MRFE6VP61K25H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
Pd-功率耗散
1.333 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935314411128
单位重量
13.155 g
商品其它信息
优势价格,MRFE6VP61K25HR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V Vds TrenchFET TO-220AB
1:¥22.4418
10:¥18.5998
100:¥15.2889
250:¥14.8256
500:¥13.2888
参考库存:5209
晶体管
MOSFET 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.9947
800:¥5.7969
参考库存:5636
晶体管
MOSFET SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
1:¥22.3627
10:¥18.984
100:¥16.4415
250:¥15.594
参考库存:5260
晶体管
MOSFET 100V 175c N-Ch FET 28mOhm 10V 55A
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.5371
1,000:¥6.2376
2,500:¥6.2376
参考库存:6110
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 5.5 mOhm typ., 80 A, STripFET F6 Power MOSFET in a D2PAK package
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.6049
500:¥6.7235
1,000:¥5.2997
参考库存:6954
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