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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	VESM-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	30
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1101
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	50 V
发射极 - 基极电压 VEBO	10 V
高度	0.5 mm
长度	1.2 mm
工作温度范围	- 55 C to + 150 C
类型	NPN Epitaxial Silicon Transistor
宽度	0.8 mm
商标	Toshiba
通道数量	1 Channel
通道模式	Enhancement
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

优势价格，RN1101MFV,L3F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DRC2124E0L	Panasonic	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm	1:¥3.842 10:¥2.1357 100:¥1.1413 500:¥0.95259 3,000:¥0.52997 9,000:查看	参考库存:9131
DTC144EMT2L	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 30MA	1:¥3.1527 10:¥2.0001 100:¥0.86106 1,000:¥0.66105 8,000:¥0.44522 24,000:查看	参考库存:12275
KSA940TU	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil	1:¥5.2206 10:¥4.2827 100:¥2.7685 1,000:¥2.2148	参考库存:5550
KSA992FBTA	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Xsistr	1:¥1.695 10:¥1.1526 100:¥0.48364 1,000:¥0.32996 2,000:¥0.26103	参考库存:18508
DTC114TET1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V	1:¥1.07576 10:¥0.97632 100:¥0.34578 1,000:¥0.23052 3,000:¥0.17628	参考库存:32525