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晶体管
IPD90N08S4-05参考图片

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IPD90N08S4-05

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数量单价合计
1
¥20.6677
20.6677
10
¥17.5941
175.941
100
¥14.0572
1405.72
500
¥12.2944
6147.2
2,500
¥9.4468
23617
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
4.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
68 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
144 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
XPD90N08
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
23 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPD90N08S405ATMA1 SP000984282
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,IPD90N08S4-05的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V 18Amp P channel Power Mosfet
2,500:¥1.6498
5,000:¥1.6498
10,000:¥1.5933
25,000:¥1.5481
参考库存:43113
晶体管
MOSFET 150V, 21A, 82 mOhm Automotive MOSFET
1:¥18.984
10:¥16.1364
100:¥12.9046
500:¥11.30
800:¥9.379
参考库存:43116
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 200A
1:¥1,627.3921
5:¥1,588.2828
10:¥1,548.7893
25:¥1,527.1159
参考库存:43119
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
1:¥3.2318
10:¥2.0679
100:¥0.86106
1,000:¥0.59212
4,000:¥0.44522
参考库存:43122
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Silicon Digital Transistor
1:¥1.5368
10:¥1.04525
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
10,000:¥0.20001
20,000:查看
参考库存:43125
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