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晶体管
FPF2C8P2NL07A参考图片

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FPF2C8P2NL07A

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库存:2,537(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥660.0556
660.0556
5
¥647.9194
3239.597
10
¥618.788
6187.88
25
¥598.1203
14953.0075
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.13 V, 2.49 V
在25 C的连续集电极电流
30 A, 50 A
栅极—射极漏泄电流
2 uA, 2 uA
Pd-功率耗散
135 W, 174 W
封装 / 箱体
F2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
系列
FPF2C8P2NL07A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
70
子类别
IGBTs
商标名
STEALTH
单位重量
45 g
商品其它信息
优势价格,FPF2C8P2NL07A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC
1:¥42.488
10:¥36.1148
100:¥31.2784
250:¥29.7416
500:¥26.668
参考库存:6563
晶体管
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC
1:¥8.9157
10:¥7.6727
100:¥5.8986
500:¥5.198
1,000:¥4.1132
2,000:¥4.1132
参考库存:6221
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 21A 3.6mOhm 40nC
1:¥8.4524
10:¥7.2659
100:¥5.5822
500:¥4.9381
1,000:¥3.8985
4,000:¥3.8985
参考库存:12990
晶体管
MOSFET TRENCH_MOSFETS
1:¥16.9048
10:¥14.3736
100:¥11.526
500:¥10.0683
800:¥8.3733
参考库存:7854
晶体管
MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet
1:¥8.2942
10:¥7.1303
100:¥5.4805
500:¥4.8364
2,000:¥3.39
10,000:查看
参考库存:15415
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