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晶体管
SSM6N67NU,LF参考图片

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SSM6N67NU,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
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库存:4,481(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.2262
4.2262
10
¥2.7685
27.685
100
¥1.5481
154.81
1,000
¥1.12209
1122.09
3,000
¥0.96841
2905.23
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UDFN-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
39.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V, - 8 V
Qg-栅极电荷
3.2 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SSM6N67NU
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
6 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
26 ns
单位重量
8.500 mg
商品其它信息
优势价格,SSM6N67NU,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 500V 21A TO247-3 CoolMOS C3
1:¥34.1147
10:¥28.9732
100:¥25.1312
250:¥23.8204
500:¥21.357
参考库存:5101
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT PNP 60V 2A 3PIN
1:¥3.842
10:¥2.938
100:¥1.5933
1,000:¥1.1978
3,000:¥1.10627
参考库存:7032
晶体管
MOSFET PT9 N-ch 30V/12V Power Trench MOSFET
1:¥14.9047
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥8.8366
3,000:¥6.8704
6,000:查看
参考库存:5871
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 4.5A, 900mOhm
1:¥13.2888
10:¥11.9893
100:¥9.6841
500:¥7.5032
参考库存:6479
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 71A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
5,000:¥2.7685
参考库存:12296
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