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晶体管
FPF2G120BF07AS参考图片

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FPF2G120BF07AS

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库存:2,023(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥836.0192
836.0192
5
¥820.7303
4103.6515
10
¥783.768
7837.68
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Triple
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
栅极—射极漏泄电流
2 uA
Pd-功率耗散
98 W, 140 W, 156 W
封装 / 箱体
F2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
系列
FPF2G120BF07AS
商标
ON Semiconductor / Fairchild
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
70
子类别
IGBTs
单位重量
45 g
商品其它信息
优势价格,FPF2G120BF07AS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 80V 38A 29mOhm 37nC
1:¥8.8366
10:¥7.5484
100:¥5.7969
500:¥5.1302
1,000:¥4.0454
2,000:¥4.0454
参考库存:5938
晶体管
MOSFET High Duty Cycle Sync Buck NexFET
1:¥9.7632
10:¥8.2942
100:¥6.3958
500:¥5.65
2,500:¥3.955
10,000:查看
参考库存:7526
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII
1:¥21.5943
10:¥18.3625
100:¥14.6787
500:¥12.8368
1,000:¥10.5994
参考库存:5339
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
1:¥43.6406
10:¥37.1092
100:¥32.1146
250:¥30.51
500:¥27.3573
参考库存:4854
晶体管
达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil
1:¥5.0737
10:¥4.2149
100:¥2.7233
1,000:¥2.1809
参考库存:9966
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