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晶体管
BSC030P03NS3GAUMA1参考图片

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BSC030P03NS3GAUMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3
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库存:11,501(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.2156
18.2156
10
¥15.4471
154.471
100
¥12.3735
1237.35
500
¥10.8367
5418.35
1,000
¥8.9948
8994.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
140 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
BSC030P03
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
47 S
下降时间
33 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
105 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
98 ns
典型接通延迟时间
27 ns
零件号别名
BSC030P03NS3 BSC3P3NS3GXT G SP000442470
商品其它信息
优势价格,BSC030P03NS3GAUMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 8V GS
3,000:¥1.00683
9,000:¥0.9379
24,000:¥0.89157
45,000:¥0.86784
99,000:¥0.86106
参考库存:31757
晶体管
MOSFET LITELINK Programmable Driver
1,000:¥17.5941
2,000:¥16.8257
参考库存:31760
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
87:¥45.3356
174:¥40.8834
261:¥37.3465
522:¥34.0356
参考库存:31763
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power trans LDmoST plastic
1:¥69.6984
10:¥63.0088
25:¥60.0934
100:¥52.1721
3,000:¥38.1149
参考库存:4010
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 A2G22S160-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
250:¥864.9133
参考库存:31768
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