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晶体管
BSC030P03NS3GAUMA1参考图片

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BSC030P03NS3GAUMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3
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库存:11,501(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.2156
18.2156
10
¥15.4471
154.471
100
¥12.3735
1237.35
500
¥10.8367
5418.35
1,000
¥8.9948
8994.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
140 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
BSC030P03
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
47 S
下降时间
33 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
105 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
98 ns
典型接通延迟时间
27 ns
零件号别名
BSC030P03NS3 BSC3P3NS3GXT G SP000442470
商品其它信息
优势价格,BSC030P03NS3GAUMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-CH -60V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥7.2998
10:¥5.8308
3,000:¥5.8308
参考库存:34332
晶体管
MOSFET N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II
1:¥19.8202
10:¥16.9048
100:¥13.5261
500:¥11.8311
1,000:¥9.7632
参考库存:4349
晶体管
MOSFET
1:¥7.3789
10:¥6.3506
100:¥4.8816
500:¥4.3053
1,000:¥3.4013
2,500:¥3.4013
参考库存:66011
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥248.2723
5:¥237.1305
10:¥229.6725
25:¥211.084
参考库存:3792
晶体管
IGBT 晶体管 LC IH RC OSV
1:¥24.3628
10:¥20.7468
100:¥17.9783
250:¥17.063
参考库存:4171
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