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晶体管
TPW4R50ANH,L1Q参考图片

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TPW4R50ANH,L1Q

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-CH Mosfet 60V N-CH Mosfet 100V
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库存:41,927(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.5096
22.5096
10
¥18.1365
181.365
100
¥16.2946
1629.46
500
¥12.6786
6339.3
5,000
¥9.4468
47234
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DSOP Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
92 A
Rds On-漏源导通电阻
4.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
58 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
142 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.73 mm
长度
5 mm
系列
TPW4R50ANH
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Toshiba
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.6 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
52 ns
典型接通延迟时间
25 ns
单位重量
98 mg
商品其它信息
优势价格,TPW4R50ANH,L1Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs SC70-6 N&P PAIR
1:¥4.0002
10:¥2.7572
100:¥1.8645
500:¥1.5029
1,000:¥1.12209
3,000:¥1.02943
参考库存:12475
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥11.9893
10:¥10.2152
100:¥8.1473
500:¥7.119
2,500:¥5.4918
5,000:查看
参考库存:9837
晶体管
MOSFET 80V Dual N & P-Chan PowerTrench
1:¥8.1473
10:¥6.9269
100:¥5.3223
500:¥4.7008
2,500:¥3.2996
10,000:查看
参考库存:5655
晶体管
MOSFET Dual P-CH NexFET Pwr MOSFET
1:¥5.0737
10:¥4.2262
100:¥2.7007
1,000:¥2.1696
3,000:¥1.8306
9,000:查看
参考库存:7106
晶体管
MOSFET MOSFET P-CHANNEL
1:¥2.8476
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72998
参考库存:30793
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