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晶体管
FGH40N60SFDTU-F085参考图片

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FGH40N60SFDTU-F085

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库存:1,897(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥38.8833
38.8833
10
¥33.0412
330.412
100
¥28.589
2858.9
250
¥27.12
6780
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
290 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGH40N60SF_F085
资格
AEC-Q101
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
+/- 400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
FGH40N60SFDTU_F085
单位重量
6.400 g
商品其它信息
优势价格,FGH40N60SFDTU-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
1:¥9.0626
10:¥7.7631
100:¥5.9664
500:¥5.2658
1,000:¥4.1697
参考库存:4494
晶体管
MOSFET N-Ch PWR FET 43A 53W 60V VDSS
1:¥7.6049
10:¥5.8873
100:¥3.7968
1,000:¥3.0397
参考库存:3823
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥14.0572
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
1,000:¥6.9721
参考库存:4287
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-11
1:¥0.92208
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
10,000:¥0.13786
20,000:查看
参考库存:21371
晶体管
MOSFET N-channel MOSFET logic level LFPAK33
1:¥3.6838
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
1,500:¥1.2317
参考库存:5378
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