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晶体管
FQB30N06LTM参考图片

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FQB30N06LTM

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库存:9,365(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.2943
10.2943
10
¥8.7575
87.575
100
¥6.7009
670.09
500
¥5.9212
2960.6
800
¥4.6782
3742.56
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
32 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3.75 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FQB30N06L
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
24 S
下降时间
110 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
210 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格,FQB30N06LTM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥4.3053
10:¥3.2657
100:¥2.4182
500:¥1.9888
3,000:¥1.4012
6,000:查看
参考库存:10706
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 300V PNP
1:¥1.5368
10:¥1.3334
100:¥0.47686
1,000:¥0.31527
10,000:¥0.20792
20,000:查看
参考库存:28104
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 2.2K
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:17715
晶体管
JFET N-Ch amplifier Lo Freq/Lo Noise
1:¥3.0736
10:¥2.1696
100:¥0.99101
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.65314
参考库存:34499
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SOT-1123 NBRT TRNSTR
1:¥2.9945
10:¥2.034
100:¥0.85315
1,000:¥0.5763
8,000:¥0.3842
24,000:查看
参考库存:8987
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