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晶体管
SSM6J212FE,LF参考图片

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SSM6J212FE,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW
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库存：26,805(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.7515
175.15
1,000
¥1.3108
1310.8
4,000
¥1.11418
4456.72
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ES6-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
94 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
14.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
系列
SSM6J212
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.2 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
单位重量
36 mg
商品其它信息
优势价格，SSM6J212FE,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSP315PH6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3
1:¥5.3788
10:¥4.4748
100:¥2.8815
1,000:¥2.3052
参考库存:2600
IPD90P04P405AUMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET P-CHANNEL
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.2433
2,500:¥5.0624
10,000:查看
参考库存:34738
2SCR562F3TR
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30V 6A 1W DFN2020-3S
1:¥5.2206
10:¥4.3392
100:¥2.8024
1,000:¥2.2374
3,000:¥1.8871
参考库存:8568
FDP8D5N10C
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET FET 100V 76A 8.5 mOhm
1:¥28.8941
10:¥24.5097
100:¥21.2892
250:¥20.2044
参考库存:3069
IPB60R099P7ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥33.6514
10:¥28.589
100:¥24.747
250:¥23.5153
500:¥21.0519
1,000:¥17.7523
参考库存:3546
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