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晶体管
TK12A50D(STA4,Q,M)参考图片

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TK12A50D(STA4,Q,M)

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch MOS 12A 500V 45W 1350pF 0.52
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库存:3,818(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.8203
21.8203
10
¥17.5941
175.941
100
¥15.8313
1583.13
500
¥12.2944
6147.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
520 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
25 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
高度
15 mm
长度
10 mm
系列
TK12A50D
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
100 ns
典型接通延迟时间
55 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,TK12A50D(STA4,Q,M)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 50/100mA/4.7K 47K
1:¥1.695
10:¥1.12209
100:¥0.46895
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.25312
参考库存:50827
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.3844
10:¥3.6386
100:¥2.2261
1,000:¥1.7176
3,000:¥1.4577
参考库存:6204
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Si PNP Transistor
1:¥3.1527
10:¥2.5764
100:¥1.5707
1,000:¥1.2091
2,500:¥1.03734
参考库存:8153
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH DUAL GATE 20V VHF
1:¥5.1528
10:¥4.5765
25:¥4.1358
100:¥3.616
3,000:¥1.9662
6,000:查看
参考库存:9006
晶体管
MOSFET 600N-Channel MOSFET UniFET-II
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
1,000:¥6.893
参考库存:4418
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