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晶体管
SSM3K56ACT,L3F参考图片

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SSM3K56ACT,L3F

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V
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库存:23,438(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.2262
4.2262
10
¥2.3278
23.278
100
¥0.99892
99.892
1,000
¥0.7684
768.4
10,000
¥0.52206
5220.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
CST3-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.4 A
Rds On-漏源导通电阻
840 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.38 mm
长度
1 mm
系列
SSM3K56
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
0.6 mm
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
1.4 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格,SSM3K56ACT,L3F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Big Chip SELine
1:¥7.7631
10:¥6.667
100:¥5.1302
500:¥4.5313
1,000:¥3.5708
参考库存:5765
晶体管
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
1:¥6.3054
10:¥5.2658
100:¥3.4013
1,000:¥2.7233
2,500:¥2.2939
参考库存:8354
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 0.5 3W 10V VDSS
1:¥11.4469
10:¥9.2208
100:¥7.0738
500:¥6.2263
1,000:¥4.9155
参考库存:5240
晶体管
MOSFET N Chan20V1.5A Load Switching
1:¥3.5369
10:¥2.9154
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
3,000:¥1.1752
参考库存:7270
晶体管
MOSFET NFET TO220 100V 76A 13MOH
1:¥21.131
10:¥17.9783
100:¥15.594
250:¥14.7578
500:¥13.2888
参考库存:5103
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