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晶体管
IPB160N04S4-H1参考图片

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IPB160N04S4-H1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2
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库存:3,202(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.0573
16.0573
10
¥13.6052
136.052
100
¥10.9158
1091.58
500
¥9.5259
4762.95
1,000
¥7.91
7910
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
160 A
Rds On-漏源导通电阻
1.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
137 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
167 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-T2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
33 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
28 ns
零件号别名
IPB160N04S4H1ATMA1 IPB16N4S4H1XT SP000711252
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格,IPB160N04S4-H1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Chan 60V 50 Amp
1:¥27.9675
10:¥23.2102
100:¥19.1309
250:¥18.5207
500:¥16.5997
参考库存:6369
晶体管
达林顿晶体管 10A 100V Bipolar Power NPN
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.9608
参考库存:4720
晶体管
MOSFET N-CHAN 30V 9A 2.4W
1:¥6.9156
10:¥5.8534
100:¥4.4974
500:¥3.9776
3,000:¥2.7798
9,000:查看
参考库存:8777
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -40V -3.4A 112mOhm 25nC
1:¥4.068
10:¥3.4013
100:¥2.0792
1,000:¥1.6046
3,000:¥1.3673
参考库存:10542
晶体管
MOSFET NFET SOT23 60V 310MA 2.5
1:¥1.2317
10:¥1.1865
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.20792
参考库存:120089
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