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晶体管
BSC022N04LSATMA1参考图片

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BSC022N04LSATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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库存:5,770(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.6785
10.6785
10
¥9.1417
91.417
100
¥7.0286
702.86
500
¥6.2037
3101.85
1,000
¥4.9042
4904.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
1.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
52 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
90 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.8 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
6.1 ns
零件号别名
BSC022N04LS SP001059844
单位重量
118.240 mg
商品其它信息
优势价格,BSC022N04LSATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
2,000:¥3.7629
10,000:¥3.616
24,000:¥3.503
参考库存:31437
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 400V 10A 3Pin(3+Tab)
5,000:¥2.8702
10,000:¥2.7572
25,000:¥2.6781
参考库存:31440
晶体管
MOSFET PMV30UN2/TO-236AB/REEL 11" Q3/
10,000:¥0.66105
20,000:¥0.62263
50,000:¥0.5537
100,000:¥0.52997
参考库存:31443
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 100K
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:31446
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1013HS/CFM4F///REEL 13
50:¥2,614.7861
参考库存:31449
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