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晶体管
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IRGB4056DPBF

  • Infineon Technologies
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  • IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT
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数量单价合计
1
¥24.8939
24.8939
10
¥21.131
211.31
100
¥18.3625
1836.25
250
¥17.3681
4342.025
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220AB-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
24 A
Pd-功率耗散
140 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
24 A
高度
16.51 mm
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001544890
单位重量
6 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-GB75YF120UT
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25,000:¥1.6046
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